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芯片自動(dòng)化測(cè)試原理(芯片測(cè)試裝置)

qweasjd 發(fā)布于2023-12-18 08:42:11 自動(dòng)化測(cè)試 131 次

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本文目錄一覽:

基因芯片與SNP技術(shù)區(qū)別

SNP技術(shù) 單核苷酸多態(tài)性(SNP) 是指在基因組上單個(gè)核苷酸的變異,包括置換、顛換、缺失和插入。從理論上來看每一個(gè)SNP 位點(diǎn)都可以有4 種不同的變異形式,但實(shí)際上發(fā)生的只有兩種,即轉(zhuǎn)換和顛換,二者之比為2 :1。

一)、基因芯片技術(shù)基因芯片技術(shù):是在固相支持介質(zhì)上進(jìn)行分子雜交和原位熒光檢測(cè)的一種高通量SNP分析方法。優(yōu)缺點(diǎn):優(yōu)點(diǎn)是高通量,一次可對(duì)多個(gè)SNP進(jìn)行規(guī)模性篩選,被撿起始材料也很少,操作步驟簡(jiǎn)單。

芯片自動(dòng)化測(cè)試原理(芯片測(cè)試裝置)
(圖片來源網(wǎng)絡(luò),侵刪)

現(xiàn)在SNP的常用檢測(cè)方法主要有:Taqman法、質(zhì)譜法、芯片法、測(cè)序法。

與傳統(tǒng)的遺傳檢測(cè)手段相比,SNP技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)。首先,因?yàn)镾NP技術(shù)只針對(duì)某些特定基因位點(diǎn)的檢測(cè),所以檢測(cè)成本相對(duì)較低。其次,SNP技術(shù)可以同時(shí)檢測(cè)多個(gè)基因位點(diǎn),具有高通量的優(yōu)勢(shì)。

測(cè)die是什么工序

一片載有Nand Flash晶圓的wafer,wafer首先經(jīng)過切割,然后測(cè)試,將完好的、穩(wěn)定的、足容量的die取下,封裝形成日常所見的Nand Flash芯片(chip)。

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半導(dǎo)體,指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試組成

芯片中的DIE又稱為內(nèi)核,是CPU最重要的組成部分。為了便于CPU設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售管理,CPU制造商會(huì)對(duì)各種CPU核心給出相應(yīng)的代號(hào)。

4代蘋果主板時(shí)鐘芯片怎么測(cè)試

穩(wěn)壓電源:在手機(jī)維修中,為了測(cè)試方便,需要準(zhǔn)備一臺(tái)穩(wěn)壓電源,要求其輸出電壓可調(diào),輸出電壓1—15伏、電流1—2安,應(yīng)帶短路保護(hù)電路和限流調(diào)節(jié),具有機(jī)械式表頭和數(shù)字顯示的兩種,用來觀察手機(jī)工作中的電流變化情況。

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進(jìn)行外觀判斷:先觀察主板是否變形,如果變形說明主板受過外力,可能有隱含故障。如果主板沒有變形,沒有受潮,就仔細(xì)觀察主板是否修過,重點(diǎn)看元件上有沒有松香,焊油。

.表測(cè)法:+5V、GND電阻是否是太小(在50歐姆以下)。 3.通電檢查:對(duì)明確已壞板,可略調(diào)高電壓0.5-1V,開機(jī)后用手搓板上的IC,讓有問題的芯片發(fā)熱,從而感知出來。

晶振的作用:與時(shí)鐘芯片、聲卡芯片、網(wǎng)卡芯片、顯卡以及其它芯片組成振蕩電路是全板上最重要的時(shí)鐘信號(hào)產(chǎn)生源 晶振的測(cè)量及好壞判斷 測(cè)量方法 電壓法:主板加電,用萬用表分別測(cè)晶振兩引腳電壓。

在D0-D63這64個(gè)數(shù)據(jù)位腳都加有一個(gè)阻值不在的電阻(10歐)起限流作用。而測(cè)試儀主要的原理是用程序重復(fù)測(cè)試內(nèi)存芯片的每個(gè)數(shù)據(jù)位引腳,看有沒有擊穿或短路的數(shù)據(jù)位引腳,還有就是芯片的時(shí)鐘引腳地址引腳。

該手機(jī)主板是否原裝,可以通過以下步驟進(jìn)行測(cè)試:序列號(hào)檢查:檢查手機(jī)主板上的序列號(hào)是否與手機(jī)包裝盒上的序列號(hào)一致,若是兩者不一致,那么是被更換過主板。

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